[发明专利]一种晶体硅太阳电池二氧化硅薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳电池二氧化硅薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片放入扩散炉进行磷扩散；(2)将硅片保持在扩散炉中，以1~10℃/min的降温速率降温至780~800℃，通入干氧和大氮进行氧化处理，在硅片表面形成二氧化硅薄膜；(3)出舟；(4)将上述硅片放于HF溶液中进行清洗；(5)干燥处理。本发明开发了一种晶体硅太阳电池二氧化硅薄膜的制备方法，采用了“一步扩散和选择性清洗”的方法，既减少了太阳能电池制作的工序，又提升了太阳能电池的电性能，制得的太阳能电池组件又具有抗电位衰减效应的能力。

主权项

一种晶体硅太阳电池二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将待处理的硅片放入扩散炉进行磷扩散；(2) 将硅片保持在扩散炉中，以1~10℃/min的降温速率降温至780~800℃，通入干氧和大氮进行氧化处理，在硅片表面形成二氧化硅薄膜；其中，干氧的流量为5~30 L/min，大氮的流量为0~30 L/min，氧化处理时间为20~100 min；(3) 出舟；(4) 将上述硅片放于HF溶液中进行清洗；其中，HF溶液的体积浓度为1~10%，溶液温度为10~30℃，清洗时间为20~200s；(5) 干燥处理。