[发明专利]具有连接通孔结构的3维集成电路系统及用以形成该集成电路系统的方法有效
| 申请号： | 201310144104.5 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103377999A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | C·Y·王;R·阿拉帕蒂;T·J·唐 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种具有连接通孔结构的3维集成电路系统及用以形成该集成电路系统的方法，包含提供包含主动装置的基板、形成进入该基板的硅穿孔、形成至该主动装置的装置接触、形成在该硅穿孔和该装置接触上方的导电层、以及形成用以将该导电层电性连接至该硅穿孔的连接通孔结构。集成电路装置包含形成进入基板硅材料的硅穿孔、形成在该硅穿孔上方的导电层、以及形成在该导电层与该硅穿孔之间的连接通孔结构，用以将该导电层电性连接至该硅穿孔。该连接通孔结构包含与第二系列的通孔条交叉的第一系列的通孔条。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 接通 结构 集成电路 系统 用以 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路装置的方法，包括：提供包含主动装置的基板；形成进入该基板的硅穿孔；形成至该主动装置的装置接触；在该硅穿孔和该装置接触上方形成导电层；以及形成连接通孔结构，以将该导电层电性连接至该硅穿孔，其中，形成该连接通孔结构包含形成与第二系列的通孔条交叉的第一系列的通孔条。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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