[发明专利]与鳍式场效应晶体管技术兼容的器件结构有效
| 申请号： | 201310142925.5 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103378160A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | R·J·小戈捷;J·B·约翰逊;李军俊 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及与鳍式场效应晶体管技术兼容的器件结构。提供了用于鳍式场效应晶体管集成电路技术的器件结构、设计结构和制造方法。构成器件结构的电极的第一鳍和第二鳍中的每一者由第一半导体材料构成。第二鳍被形成为邻近第一鳍，以限定使第一鳍和第二鳍分隔的间隙。由第二半导体材料构成的层位于该间隙中。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 技术 兼容 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种制造器件结构的方法，所述方法包括：形成第一鳍；形成邻近所述第一鳍的第二鳍，以限定使所述第一鳍与所述第二鳍分隔的间隙；以及在所述第一鳍与所述第二鳍之间的所述间隙中形成第一层，其中所述第一鳍和所述第二鳍由第一半导体材料构成，所述第一层由第二半导体材料构成，并且所述第一鳍和所述第二鳍中的每一者是所述器件结构的电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310142925.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种碳纤维电热地暖线缆结构
- 下一篇：一种电热膜加热管的电极引出线结构
- 同类专利
- 专利分类
