[发明专利]MEMS器件无效
| 申请号： | 201310141385.9 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103260123A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | R·I·拉明;M·贝格比 | 申请（专利权）人： | 沃福森微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R27/00 | 分类号： | H04R27/00;H04R17/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 杨勇;郑建晖 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明是MEMS器件。一种微机电器件，包括：换能器布置，其至少具有针对衬底而安装的薄膜；和电交互装置，其用于将电信号联系于所述薄膜的运动；其中，所述换能器布置包括在所述薄膜的周界内的应力减缓构造，该构造至少部分地减弱来自所述衬底的膨胀或收缩对所述薄膜的影响。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 | ||
【主权项】：
一种微机电器件，包括：换能器布置，其至少具有针对衬底而安装的薄膜；和电交互装置，其用于将电信号联系于所述薄膜的运动，其中，所述薄膜针对所述衬底而安装，使得所述薄膜的平面与所述衬底的上表面的平面分离，并且其中在所述换能器布置和所述衬底之间设置有应力释放部分；其中所述应力释放部分被配置为使得其在水平方向上的刚度比其在竖直方向上的刚度大，所述水平方向对应于所述衬底的平面。
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