[发明专利]包括应力邻近效应的集成电路装置及其制造方法

摘要

公开了包括应力邻近效应的集成电路装置及其制造方法。一种集成电路包括衬底上的特定导电类型的第一FET和第二FET，其中第一FET的第一源极/漏极区域与第一FET的第一沟道区域的中心之间的距离小于第二FET的第二源极/漏极区域与第二FET的第二沟道区域的中心之间的距离。

主权项

1.一种集成电路，包括：衬底上的特定导电类型的第一FET和第二FET，其中所述第一FET的第一源极/漏极区域与所述第一FET的第一栅极电极之间的距离小于所述第二FET的第二源极/漏极区域与所述第二FET的第二栅极电极之间的距离，其中所述第一FET的第一沟道区域和所述第二FET的第二沟道区域包括各个鳍部，所述各个鳍部从所述衬底延伸以从装置隔离层突出，以提供分别位于所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间的各个鳍部的上部侧壁和顶部表面，其中所述各个鳍部中的至少一个包括在所述上部侧壁之间进行测量的为20nm或更小的宽度。