[发明专利]微纳米银、铜或银铜合金薄膜及其制备方法无效
申请号: | 201310140628.7 | 申请日: | 2013-04-22 |
公开(公告)号: | CN103451632A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 刘白;刘力睿 | 申请(专利权)人: | 深圳信息职业技术学院 |
主分类号: | C23C18/14 | 分类号: | C23C18/14 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518172 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种微纳米银、铜或银铜合金薄膜及其制备方法。该微纳米银、铜或银铜合金薄膜的制备方法采用光化学液相沉积法,将半导体基体浸入硝酸银溶液或/和硝酸铜溶液中,进行紫外光光照,该半导体基体通过吸收光子被激发出电子,使银离子或铜离子还原生成银或铜,沉积在被氢氟酸腐蚀过的半导体基体上,从而实现微纳米颗粒的均匀沉积,得到上述微纳米银、铜或银铜合金薄膜。该方法工艺简单、条件易控、避免了有机溶剂的使用,有效降低了生产成本,并且容易控制金属薄膜的大小、形貌及组分。由该方法制备的微纳米银、铜或银铜合金薄膜具有优良的抗冲击性及抗腐蚀性。 | ||
搜索关键词: | 纳米 铜合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种微纳米银、铜或银铜合金薄膜的制备方法,包括如下步骤:获取半导体基体;将所述半导体基体浸入反应液中,用紫外光光照所述半导体基体至少1分钟,使在所述半导体基体表面生成微纳米银、铜或银铜合金薄膜;其中,所述反应液中溶解有硝酸银或/和硝酸铜以及氢氟酸,所述硝酸银或/和硝酸铜与氢氟酸的摩尔百分比为1~100:3~10;将经紫外光光照后的所述半导体基体从反应液中取出后进行干燥处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳信息职业技术学院,未经深圳信息职业技术学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310140628.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理