[发明专利]一种用于相变存储器的Zn-Sb-Te相变存储薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310135767.0 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103247757A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 沈祥;王国祥;聂秋华;陈益敏;李军建;徐铁峰;戴世勋;吕业刚 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C22C12/00 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 程晓明 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种用于相变存储器的Zn-Sb-Te相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是该材料由锌，锑，碲三种元素组成，其化学结构式为ZnX(Sb2Te3)100-X，0 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 相变 存储器 zn sb te 存储 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的Zn‑Sb‑Te相变存储薄膜材料，其特征在于：该材料是一种由锌，锑，碲三种元素组成的混合物。
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