[发明专利]基于双向填充的通孔互联结构制作方法及其产品

摘要

本发明公开了一种基于双向填充的通孔互联结构制作方法，包括：（a）在基片第一表面上加工制得第一盲孔；（b）在第一表面上淀积绝缘层、阻挡层和种子层；（c）在第二表面上套刻加工制得第二盲孔，且其深度止于露出第一盲孔中的绝缘层；（d）在第二表面上淀积绝缘层和阻挡层；（e）在第二表面的阻挡层上平铺贴合干膜并执行曝光显影；（f）以干膜作为掩膜，对绝缘层和阻挡层执行刻蚀处理仅保留下种子层；（g）执行填充操作。本发明中还公开了相应的通孔互联结构产品。通过本发明，能够以便于操控、高效率的方式执行填充过程，并获得填充效果好的产品，同时可以突破现有成膜技术的瓶颈，拓宽其应用范围，并尤其适于满足超高深宽比的场合。

主权项

一种基于双向填充的通孔互联结构制作方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：（a）在基片的第一表面上加工制得第一盲孔，并使得该第一盲孔的深度不小于其直径；（b）在加工制得第一盲孔的整个基片第一表面上依次淀积绝缘层、阻挡层和种子层；（c）通过背面套刻对准，在基片与第一表面相对置的第二表面上加工制得第二盲孔；该第二盲孔的加工位置与第一盲孔相对应，且其深度止于露出第一盲孔中的绝缘层；（d）在加工制得第二盲孔的整个基片第二表面上依次淀积绝缘层和阻挡层；（e）在硅片第二表面的阻挡层上平铺贴合感光干膜，然后对其执行曝光及显影处理，并形成露出第二盲孔的开口；（f）以形成有开口的干膜作为掩膜，对第一、第二盲孔底部的两个绝缘层和两个阻挡层分别执行刻蚀处理，由此仅保留下种子层；（g）以保留下的种子层为引导，向第一、第二盲孔同时填充导电材料，由此获得所需的通孔互联结构产品。