[发明专利]基于双向填充的通孔互联结构制作方法及其产品

权利要求书

1.一种基于双向填充的通孔互联结构制作方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

（a）在基片的第一表面上加工制得第一盲孔，并使得该第一盲孔的深度不小于其直径；

（b）在加工制得第一盲孔的整个基片第一表面上依次淀积绝缘层、阻挡层和种子层；

（c）通过背面套刻对准，在基片与第一表面相对置的第二表面上加工制得第二盲孔；该第二盲孔的加工位置与第一盲孔相对应，且其深度止于露出第一盲孔中的绝缘层；

（d）在加工制得第二盲孔的整个基片第二表面上依次淀积绝缘层和阻挡层；

（e）在硅片第二表面的阻挡层上平铺贴合感光干膜，然后对其执行曝光及显影处理，并形成露出第二盲孔的开口；

（f）以形成有开口的干膜作为掩膜，对第一、第二盲孔底部的两个绝缘层和两个阻挡层分别执行刻蚀处理，由此仅保留下种子层；

（g）以保留下的种子层为引导，向第一、第二盲孔同时填充导电材料，由此获得所需的通孔互联结构产品。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤（a）和（c）中，所述盲孔的深度为硅片自身厚度的1/3～1/2之间，并且盲孔的深度为其直径的1～50倍。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤（a）和（c）中，通过深反应离子刻蚀、激光烧蚀或湿法腐蚀来加工制得盲孔。

4.如权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，在步骤（b）和（d）中，所述绝缘层的材料选自二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝、聚酰亚胺、聚对二甲苯、聚苯并环丁烯或光刻胶以及上述材料的混合物或复合体，并优选采用热氧化、物理气相淀积或化学气相淀积的方式形成；所述阻挡层为钛阻挡层、钛-钨双层阻挡层、钛-氮化钛双层阻挡层或钽-氮化钽双层阻挡层，并优选采用原子层淀积、物理气相淀积或化学气相淀积的方式形成。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在步骤（b）中，所述种子层的材料为铜或金，并采用原子层淀积、物理气相淀积或化学气相淀积的方式形成。

6.如权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，在步骤（e）中，感光干膜曝光显影后所形成开口的直径小于第二盲孔的直径，由此使第二盲孔部分露出。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤（e）中，采用热压方式将一层或多层感光干膜平铺贴合在所述阻挡层上，并通过激光、电子束或离子束方式执行曝光；在曝光后对干膜执行加热坚膜处理，然后浸泡于显影液中或是通过喷洒显影液来执行显影处理。

8.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，在步骤（f）中，采用等离子刻蚀的方式，对第一、第二盲孔底部的两个绝缘层和两个阻挡层执行刻蚀处理。

9.如权利要求1-8任意一项所述的方法，其特征在于，在步骤（g）之后，还包括去除干膜、焊盘、线层重布和/或制作凸点的步骤。

10.如权利要求1-9任意一项所述的方法所制得的通孔互联结构产品。