[发明专利]通过碳纳米管凸点实现玻璃覆晶封装的方法无效

专利信息
申请号: 201310131648.8 申请日: 2013-04-16
公开(公告)号: CN103227121A 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 刘建影 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 陆聪明
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种通过碳纳米管凸点实现玻璃覆晶封装的方法,该方法的具体步骤为:在清洗干净的芯片上生长碳纳米管凸点;对步骤a所得碳纳米管凸点进行致密化处理;在步骤b所得碳纳米管凸点表面依次溅射Ti层和Au层,其中Ti层的厚度为20~50纳米,Au层的厚度为100纳米左右;将导电胶均匀的涂抹在ITO焊盘上,然后将步骤c所得ITO玻璃基板倒装在ITO焊盘上,键合压力根据凸点数目和尺寸确定(如实施例1中的键合压力可以在10~20N内),键合温度和保持时间根据所选导电胶的型号确定。本发明应用于玻璃覆晶封装(chip on glass,COG)中,使COG封装具有更强的电互联和机械互联。
搜索关键词: 通过 纳米 管凸点 实现 玻璃 封装 方法
【主权项】:
一种通过碳纳米管凸点实现玻璃覆晶封装的方法,其特征在于该方法的具体步骤为:a.       在清洗干净的芯片上制备碳纳米管凸点;b.      对步骤a所制备的碳纳米管凸点进行致密化处理;c.       在步骤c所得的碳纳米管凸点表面依次溅射厚度为20~50纳米的钛层和90~110纳米的金层;d.   将导电胶均匀的涂膜在ITO焊盘上,然后将步骤c所得的制备有碳纳米管凸点的芯片倒装在ITO玻璃基板上。
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