[发明专利]一种电场增强型肖特基结太阳能电池结构有效
申请号: | 201310125613.3 | 申请日: | 2013-04-11 |
公开(公告)号: | CN103199131A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 于濂清;董开拓;智倩倩;韩雪 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(华东) |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266580 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明是一种电场增强型肖特基结太阳能电池结构,包括电极板(1),绝缘层(2),背面电极(3),n型半导体(4),透明导电薄膜(5),金电极薄膜(6),导电玻璃(7),该结构太阳能电池同时存在透明电容结构外加电场,制备工艺简单,成本低廉,增强了太阳能电池的光转化效率,具有重要的实际应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 电场 增强 型肖特基结 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】:
一种电场增强型肖特基结太阳能电池结构包括电极板(1),绝缘层(2),背面电极(3),n型半导体(4),透明导电薄膜(5),金电极薄膜(6),导电玻璃(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的