[发明专利]包含有用于减小热应力的缓冲层的静电吸盘无效
申请号: | 201310120710.3 | 申请日: | 2009-09-08 |
公开(公告)号: | CN103227138A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 崔镇植;崔正德 | 申请(专利权)人: | 高美科株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 段迎春 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在静电吸盘(ESC)中包括用于吸收热应力的缓冲层,所述静电吸盘包括具有穿透孔的主体以及设置在所述主体上的基板。所述基板具有与所述主体的穿透孔对应的插入部分以及被定位于所述基板之内并通过所述插入部分被暴露出来的电极。所述ESC包括端子单元,所述端子单元具有通过所述穿透孔和所述基板的插入部分与所述电极接触的端子;以及缓冲层,其设置在所述主体和所述基板中的至少一个与所述端子之间的边界区域,并吸收所述主体的热应力。因此,ESC的热应力被吸收到所述缓冲层,从而充分减少了由热应力造成的裂纹由此增加了ESC的耐久性寿命。 | ||
搜索关键词: | 含有 用于 减小 应力 缓冲 静电 吸盘 | ||
【主权项】:
一种制造静电吸盘的方法,包括:制备具有穿透孔的主体;形成对应于所述穿透孔且具有缓冲层的端子单元,所述缓冲层用于吸收热应力;组合所述主体和所述端子单元,使得所述端子单元穿透所述穿透孔,并从所述主体的顶部表面突出,并且所述缓冲层设于所述主体和端子单元之间;在所述主体上形成下基板,使得所述端子的顶部表面暴露出来,并且所述缓冲层设于所述下基板和端子单元之间;在所述下基板上形成电极,使得所述电极与所述暴露出来的端子单元形成接触;以及在所述下基板和所述电极上形成上基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高美科株式会社,未经高美科株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310120710.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:腹腔镜手术腹腔内调温及废气吸引装置
- 下一篇:无损伤鼻饲管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造