[发明专利]元件上的电极结构及其制造方法有效
申请号: | 201310116455.5 | 申请日: | 2013-04-03 |
公开(公告)号: | CN103236465A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 石正玲;陈威廷;许坤章 | 申请(专利权)人: | 苏州达方电子有限公司;达泰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种元件上的电极及其制造方法,该电极结构包含多条平行的条状电极以及垂直该些条状电极的至少一条汇流排电极,该方法包含下列步骤:利用具有多列平行的镂空沟槽的模版,印刷第一金属浆于该表面上,以形成多列平行的第一导电条;利用具有多列平行的桥接网孔区域以及至少一行长条状网孔区域的网版,印刷第二金属浆于该表面上,以形成多列平行的桥接导电部以及至少一条第二导电条,其中每一桥接网孔区域对应一个桥接导电部,每一行长条状网孔区域对应一条第二导电条,每一桥接导电部衔接同一列两相邻的第一导电条;以及烘干并烧结该多列平行的第一导电条、该多列平行的桥接导电部以及该至少一条第二导电条。 | ||
搜索关键词: | 元件 电极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种于元件的表面上制造电极结构的方法,其中该电极结构包含多条平行的条状电极以及垂直该些条状电极的至少一条汇流排电极,其特征在于,该方法包含下列步骤:利用具有多列平行的镂空沟槽的模版,印刷第一金属浆于该表面上,以形成多列平行的第一导电条,其中每一镂空沟槽对应一条第一导电条,该模版上同一列相邻的镂空沟槽间具有桥接部;利用具有多列平行的桥接网孔区域以及至少一行长条状网孔区域的网版,印刷第二金属浆于该表面上,以形成多列平行的桥接导电部以及至少一条第二导电条,其中每一桥接网孔区域对应一个桥接导电部,每一行长条状网孔区域对应一条第二导电条,每一桥接导电部衔接同一列两相邻的第一导电条;以及烘干并烧结该多列平行的第一导电条、该多列平行的桥接导电部以及该至少一条第二导电条,进而形成该多条平行的条状电极以及该至少一条汇流排电极,其中每一条状电极由一列烧结的第一导电条以及同一列烧结的桥接导电部所构成,每一条汇流排电极由一条烧结的第二导电条所构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的