[发明专利]一种制备双晶氧化铟锡纳米线的方法有效
| 申请号： | 201310099861.5 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103194725A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 万能;刘楚山;刘海滨 | 申请（专利权）人： | 孝感市瑞晟机电制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/08;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 432100 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用电子束蒸发制备双晶体氧化铟锡纳米线的方法。主要使用铟、锡比例为95:5的氧化铟锡颗粒为原料，硅片、铝箔或载玻片为衬底，用电子束蒸发的方法制备双晶氧化铟锡纳米线，在特定的参数下得到一定产率的纳米线材料，并具有可大面积制备，操作方便等优点。本发明制备的双晶纳米线，其两块晶体具有任意的取向关系，与通常的单晶或其他孪晶结构的纳米线相比，具有不同的力学、热学、光学和电学特性，因此在半导体光电子学，微纳电子学和高灵敏度传感器件中可有特殊的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 双晶 氧化 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种制备双晶氧化铟锡纳米线的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将铟和锡比例为95:5的氧化铟锡原料颗粒装入用于电子束蒸发的石墨或铜坩埚内作为蒸发源；（2）把需要在表面制备双晶氧化铟锡纳米线的物品作为衬底，并清洗干净后置入蒸发腔中固定，同时安放好蒸发源；（3）将蒸发仪真空室的真空抽至低于10‑4 Pa后，加热衬底温度在250℃，待真空和衬底温度稳定后，准备蒸发；（4）开启电子束，逐步提高电子束的电流使蒸发源开始蒸发，通过蒸发仪的石英晶振厚度检测仪控制蒸发速度在1‑3 nm/s；（5）蒸发一定时间待衬底上得到所需的双晶氧化铟锡纳米线厚度时，结束制备取出样品。
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