[发明专利]具有超级结晶体管和另外的器件的半导体装置有效
| 申请号： | 201310099192.1 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103367447A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;P.伊尔西希勒;A.维尔梅罗特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H02M3/155 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及具有超级结晶体管和另外的器件的半导体装置。一种半导体装置包括半导体主体以及设置在半导体主体的第一器件区中的功率晶体管。功率晶体管包括至少一个源极区、漏极区和至少一个主体区、至少一个第一掺杂类型的漂移区和至少一个与第一掺杂类型互补的第二掺杂的补偿区以及被设置成邻近所述至少一个主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极。该半导体装置也包括设置在半导体主体的第二器件区中的另外的半导体器件。第二器件区包括包围第一掺杂类型的第一半导体区的第二掺杂类型的阱状结构。所述另外的半导体器件包括设置在第一半导体区中的器件区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超级 结晶体 另外 器件 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体主体；功率晶体管，其设置在半导体主体的第一器件区中并且包括至少一个源极区、漏极区和至少一个主体区、至少一个第一掺杂类型的漂移区和至少一个与第一掺杂类型互补的第二掺杂的补偿区以及被设置成邻近所述至少一个主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极；以及另外的半导体器件，其设置在半导体主体的第二器件区中，该第二器件区包括包围第一掺杂类型的第一半导体区的第二掺杂类型的阱状结构，所述另外的半导体器件包括设置在第一半导体区中的器件区。
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