[发明专利]一种高亮度GaN基共晶焊发光二极管的制造方法在审
| 申请号： | 201310096118.4 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN104064634A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李智勇;齐胜利;郝茂盛;马艳红;陈朋;朱秀山;吕振兴;阮怀权 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/64;H01L33/46 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高亮度GaN基共晶焊发光二极管的制造方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上生长LED外延层，自P型导电层向下刻蚀，贯穿P型导电层、发光层，直至刻蚀到N型导电层的某一层面，形成若干导电孔洞；在上述步骤3）之后获得的结构的LED外延层上形成导电薄膜层；在所述导电孔洞的侧壁以及导电薄膜层上形成绝缘层；然后在所述导电孔洞内以及绝缘层上形成金属电极并将该金属电极间隔形成正电极和负电极，所述负电极与所述导电薄膜层接触；减薄衬底或激光剥离衬底后倒装共晶焊该发光二极管。本发明有效的解决了正装LED芯片蓝宝石衬底散热差的缺点，又解决了传统覆晶LED芯片的工艺复杂问题，并进一步极大的提高了散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 gan 基共晶焊 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高亮度GaN基共晶焊发光二极管的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1）提供一衬底；2）在该衬底上生长LED外延层，所述LED外延层自下而上至少包括：N型导电层、发光层以及P型导电层；3）自所述P型导电层向下刻蚀，贯穿P型导电层、发光层，直至刻蚀到N型导电层的某一层面，形成若干导电孔洞；4）在上述步骤3）之后获得的结构的LED外延层上形成导电薄膜层；5）在所述导电孔洞的侧壁以及导电薄膜层上形成绝缘层；6）然后在所述导电孔洞内以及绝缘层上形成金属电极并将该金属电极间隔形成正电极和负电极，所述负电极与所述导电薄膜层接触；7）减薄衬底或激光剥离衬底后倒装共晶焊该发光二极管。
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