[发明专利]低成本的太阳能电池及其生产方法无效
| 申请号： | 201310095034.9 | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103296138A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 辛哈·阿肖克 | 申请（专利权）人： | 森普雷姆有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及低成本的太阳能电池及其生产方法，其无需进行冶金级硅的气化来制造太阳能电池，因此避免了在太阳能级或硅级硅的制造中涉及的成本和健康以及环境危害。该生产太阳能电池的方法包括：获得基本上由被掺杂为p-型或n-型的冶金级硅组成的多晶硅晶片；织构该晶片的正面；直接在该晶片的正面上并且与该晶片的正面接触地沉积本征层；在所述本征层上并且与该本征层接触地沉积与该晶片相反极性的掺杂层；在所述掺杂层上形成顶导电接触；以及在所述晶片的底面上形成底导电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 低成本 太阳能电池 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种制造太阳能电池的方法，包括：获得基本上由被掺杂为p‑型或n‑型的冶金级硅组成的多晶硅晶片；织构该晶片的正面；直接在该晶片的正面上并且与该晶片的正面接触地沉积本征层；在所述本征层上并且与该本征层接触地沉积与该晶片相反极性的掺杂层；在所述掺杂层上形成顶导电接触；以及在所述晶片的底面上形成底导电接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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