[发明专利]晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201310092798.2 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104064464A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，其中晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有阈值电压调节薄膜，阈值电压调节薄膜表面具有阻挡薄膜，阻挡薄膜表面具有沟道薄膜，阈值电压调节薄膜内具有掺杂离子，沟道薄膜为本征态，阻挡薄膜用于阻止阈值电压调节薄膜内的掺杂离子穿透；在沟道薄膜表面形成栅极结构；在栅极结构两侧的沟道薄膜表面形成第一侧墙；以栅极结构和第一侧墙为掩膜，刻蚀沟道薄膜、阻挡薄膜、阈值电压调节薄膜和部分半导体衬底，形成沟道层、阻挡层和阈值电压调节层；在阈值电压调节层、阻挡层、沟道层和栅极结构两侧的半导体衬底表面形成掺杂层，掺杂层的表面不低于沟道层表面。所形成的晶体管性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有阈值电压调节薄膜，所述阈值电压调节薄膜表面具有阻挡薄膜，所述阻挡薄膜表面具有沟道薄膜，所述阈值电压调节薄膜内具有掺杂离子，所述沟道薄膜为本征态，所述阻挡薄膜用于阻止阈值电压调节薄膜内的掺杂离子穿透；在所述沟道薄膜表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的沟道薄膜表面形成第一侧墙；以所述栅极结构和第一侧墙为掩膜，刻蚀所述沟道薄膜、阻挡薄膜、阈值电压调节薄膜和部分半导体衬底，形成沟道层、阻挡层和阈值电压调节层；在所述阈值电压调节层、阻挡层、沟道层和栅极结构两侧的半导体衬底表面形成掺杂层，所述掺杂层的表面不低于沟道层表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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