[发明专利]Ⅲ族化合物衬底的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310090375.7 | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104064648B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 谢秋实 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Ⅲ族化合物衬底的刻蚀方法，其包括以下步骤包括第一刻蚀阶段，所述第一刻蚀阶段包括以下步骤向反应腔室内输入第一刻蚀气体，第一刻蚀气体中含有氮气，用以调节Ⅲ族化合物衬底的沟槽侧壁的倾斜角度；向反应腔室施加激励功率，以使所述第一刻蚀气体形成等离子体；向Ⅲ族化合物衬底施加偏压功率，以使所述等离子体刻蚀Ⅲ族化合物衬底。本发明提供的Ⅲ族化合物衬底的刻蚀方法，其可以在不影响刻蚀速率以及刻蚀工艺的质量的前提下调整沟槽侧壁的倾斜角度，以使其达到理想的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 衬底 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种Ⅲ族化合物衬底的刻蚀方法，其特征在于，包括第一刻蚀阶段，所述第一刻蚀阶段包括以下步骤：向反应腔室内输入第一刻蚀气体，所述第一刻蚀气体中含有氮气，所述氮气用于调节所述Ⅲ族化合物衬底的沟槽侧壁的倾斜角度；向反应腔室施加激励功率，以使所述第一刻蚀气体形成等离子体；向Ⅲ族化合物衬底施加偏压功率，以使所述等离子体刻蚀Ⅲ族化合物衬底；所述刻蚀方法还包括第二刻蚀阶段，所述第二刻蚀阶段包括以下步骤：向反应腔室内输入第二刻蚀气体，所述第二刻蚀气体中含有惰性气体，所述惰性气体用于使所述Ⅲ族化合物衬底的沟槽侧壁趋于垂直；所述惰性气体包括氩气或氦气；向反应腔室施加激励功率，以使所述第二刻蚀气体形成等离子体；向Ⅲ族化合物衬底施加偏压功率，以使所述等离子体刻蚀Ⅲ族化合物衬底；并且在整个刻蚀过程中交替进行所述第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段。
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