[发明专利]蓝宝石基板的再生方法无效
申请号: | 201310090201.0 | 申请日: | 2013-03-13 |
公开(公告)号: | CN103633202A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 钟润文;周志豪;陈飞宏 | 申请(专利权)人: | 鑫晶钻科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 发明为一种蓝宝石基板的再生方法,其先提供一半导体结构,将该半导体结构浸渍于一碱性水溶液,以去除该半导体结构的一蓝宝石基板上的一磊晶结构,并在经过清洗制程,将该半导体结构的残留浸渍液去除后,得到一再生的蓝宝石基板,藉由上述步骤进行再生的制程能够大量处理蓝宝石基板、处理时间短、可选择性清除镀层,且浸渍液不与蓝宝石基板反应,可保留蓝宝石基板使用前状态,降低成膜生产参数的变异性,提升产品良率的优点。 | ||
搜索关键词: | 蓝宝石 再生 方法 | ||
【主权项】:
一种蓝宝石基板的再生方法,其特征在于,其包含:提供一半导体结构,其包含一蓝宝石基板及一磊晶结构,该磊晶结构设于该蓝宝石基板一侧;浸渍该半导体结构于一碱性水溶液,以去除该磊晶结构的多个金属氮化物层;取出该半导体结构,并进行一清洗制程,以去除该半导体结构的残留浸渍液;及得到该蓝宝石基板。
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