[发明专利]蓝宝石基板的再生方法

权利要求书

1.一种蓝宝石基板的再生方法，其特征在于，其包含：

提供一半导体结构，其包含一蓝宝石基板及一磊晶结构，该磊晶结构设于该蓝宝石基板一侧；

浸渍该半导体结构于一碱性水溶液，以去除该磊晶结构的多个金属氮化物层；

取出该半导体结构，并进行一清洗制程，以去除该半导体结构的残留浸渍液；

及

得到该蓝宝石基板。

2.如权利要求1所述的蓝宝石基板的再生方法，其特征在于，其中于提供一半导体结构的步骤后，更包含下列步骤：

浸渍该半导体结构于一第一酸性水溶液，以去除该磊晶结构的至少一金属层。

3.如权利要求2所述的蓝宝石基板的再生方法，其特征在于，其中该第一酸性水溶液系选自氢氟酸、硝酸、过氧化氢或其组合择一者。

4.如权利要求1所述的蓝宝石基板的再生方法，其特征在于，其中该些金属氮化物层为一氮化铝层、一氮化铟层、一氮化镓层或其组合择一者。

5.如权利要求1所述的蓝宝石基板的再生方法，其特征在于，其中该金属氮化物层更包含至少一微量金属、硅、硅氧化物或其组合择一者。

6.如权利要求5所述的蓝宝石基板的再生方法，其特征在于，其中该微量金属选自镁、锌或其组合择一者。

7.如权利要求1所述的蓝宝石基板的再生方法，其特征在于，其中该碱性水溶液包括一溶质及一溶剂，该溶质系选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氰酸钾或其组合择一者，该溶剂选自乙二醇、甘油、醇醚类或其组合择一者。

8.如权利要求1所述的蓝宝石基板的再生方法，其特征在于，其中该清洗制程系使用一超音波装置，利用一去离子水洗净该半导体结构。

9.如权利要求1所述的蓝宝石基板的再生方法，其特征在于，其中于浸渍该半导体结构于一碱性水溶液的步骤后，更包含下列步骤：

取出该半导体结构，浸渍该半导体结构于一第二酸性水溶液，以去除该半导体结构的一残留硅或其氧化物。

10.如权利要求9所述的蓝宝石基板的再生方法，其特征在于，其中该第二酸性水溶液包括一盐类及一溶剂，该盐类系选自酸式氟化铵，该溶剂系选自去离子水、乙二醇、甘油、醇醚类或其组合择一者。

11.如权利要求1所述的蓝宝石基板的再生方法，其特征在于，其中于取出该半导体结构，进行一清洗制程，以去除该半导体结构表面的残留浸渍液的步骤后，更包含下列步骤：

进行电浆干式蚀刻于该半导体结构，以去除该半导体结构的一残留金属氮化物层。