[发明专利]一种上转换荧光材料及其制备方法

摘要

本发明提供了一种上转换荧光材料，以GaN为基质，Yb3+为敏化剂，其化学组成为Ga1-x-y-zYbyRexSiZN，其中，Re为稀土金属Er、Tm、Ho、Pr、Sm或Dy中的任意一种，0.1%≤x≤2%，x≤y≤5x，0.01%≤z≤0.1%。另外，本发明还提供了一种上转换荧光材料的制备方法。本发明提供的上转换荧光材料，以GaN为基质，有效利用了GaN的热稳定性好、熔点高、易于实现稀土离子掺杂性能，同时，以Yb3+作为敏化剂，提高了上转换的转换效率，使得制备的上转换荧光材料热稳定性好、上转换效率高。

主权项

一种上转换荧光材料，其特征在于，所述上转换荧光材料以GaN为基质，Yb3+为敏化剂，所述上转换荧光材料的化学组成为Ga1‑x‑y‑zYbyRexSiZN其中，Re为稀土金属Er、Yb、Tm、Ho、Pr、Sm或Dy中的任意一种，0.1%≤x≤2%，x≤y≤5x，0.01%≤z≤0.1%。