[发明专利]植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法无效
| 申请号： | 201310088324.0 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103178168A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 杜成孝;郑海洋;魏同波;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法，其包括：在n-GaN模板上铺单层自组装密排小球；将单层自组装密排小球缩小，形成单层非密排小球；在铺有所述单层非密排小球的n-GaN模板上蒸镀掩蔽层，其中在单层非密排小球上面覆盖了一定厚度的掩蔽层，形成球上掩蔽层，在所述单层非密排小球间隙处形成掩蔽层网格；去除所述单层非密排小球和球上掩蔽层，留下掩蔽层网格；将掩蔽层网格的孔洞图形转移至n-GaN模板，并去除掩蔽层网格，形成带有孔洞图形的n-GaN模板；在所述带有孔洞图形的n-GaN模板生长成植入空气隙PhC结构的氮化镓基发光二极管(LED)外延片。 | ||
| 搜索关键词： | 植入 空气 光子 晶体 氮化 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法，其包括：步骤1：在n‑GaN模板上铺单层自组装密排小球；步骤2：将单层自组装密排小球缩小，形成单层非密排小球；步骤3：在铺有所述单层非密排小球的n‑GaN模板上蒸镀掩蔽层，其中在单层非密排小球上面覆盖了一定厚度的掩蔽层，形成球上掩蔽层，在所述单层非密排小球间隙处形成掩蔽层网格；步骤4：去除所述单层非密排小球和球上掩蔽层，留下掩蔽层网格；步骤5：将掩蔽层网格的孔洞图形转移至n‑GaN模板，并去除掩蔽层网格，形成带有孔洞图形的n‑GaN模板；步骤6：在所述带有孔洞图形的n‑GaN模板生长成植入空气隙PhC结构的氮化镓基发光二极管(LED)外延片。
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