[发明专利]以黑硅为光敏层的Si-APD光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310077749.1 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103137773A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李伟;王垠;郭安然;余峰;王涛;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/028;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种以黑硅为光敏层的Si-APD光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述光电探测器包括硅本征衬底1、位于硅本征衬底1上表面中央的N+区2、位于N+区下方的P型区3、位于硅本征衬底上表面四周的环形N型区4、位于N+区上表面的N+区黑硅层5、位于硅本征衬底下表面的P+区6、位于N+区黑硅层和环形N型区上表面的上电极7以及位于P+区下表面的下电极8。本发明以黑硅材料为光敏层，同时在N+区和P型区四周增加了环形N型区，使得本发明能够吸收近红外波段光波，具有更高的光吸收率和更宽的响应波段，制备工艺较为简单，成本低，具有易于集成、响应速度快、响应度高和响应波段宽的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 光敏 si apd 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
以黑硅为光敏层的Si‑APD光电探测器，其特征在于，包括硅本征衬底（1）、位于硅本征衬底（1）上表面中央的N+区（2）、位于N+区（2）下方的P型区（3）、位于硅本征衬底（1）上表面四周的环形N型区（4）、位于N+区（2）上表面的N+区黑硅层（5）、位于硅本征衬底（1）下表面的P+区（6）、位于N+区黑硅层（5）和环形N型区（4）上表面的上电极（7）以及位于P+区（6）下表面的下电极（8）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
