[发明专利]一种铜制程整合无源器件制造工艺及其制成的无源器件

摘要

本发明提供一种铜制程整合无源器件制造工艺及其制成的无源器件，该工艺包括在Si晶圆衬底上生长一层绝缘基底，再由下至上依次制备第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层；第三绝缘层、第三金属层、绝缘介质层、钝化保护层；在第二绝缘层上制作穿透第二绝缘层且延伸至第二金属层的第一栓塞导通孔和穿透第二绝缘层且延伸至第一金属层的第二栓塞导通孔；将铜填入第一栓塞导通孔和第二栓塞导通孔中；在第三绝缘层中正对第一栓塞导通孔和第二栓塞导通孔的位置处制作穿透第三绝缘层的延长通孔，并在延长通孔中填入金属铜。本发明将Cu作为连接金属栓塞导通第一金属层和位于延长通孔中的金属铜，增加了金属层的厚度，提高了Q值，节省了成本。

主权项

一种铜制程整合无源器件制造工艺，其特征在于，所述铜制程整合无源器件制造工艺包括：在Si晶圆衬底上生长一层绝缘基底；在所述绝缘基底上制备第一金属层；在所述第一金属层上制备第一绝缘层；在所述第一绝缘层上制备第二金属层；在所述第二金属层上制备第二绝缘层；在所述第二绝缘层上制作穿透所述第二绝缘层且延伸至所述第二金属层的第一栓塞导通孔和穿透所述第二绝缘层且延伸至所述第一金属层的第二栓塞导通孔；将铜填入所述第一栓塞导通孔和第二栓塞导通孔中；所述第一栓塞导通孔和第二栓塞导通孔的横截面的宽度范围为1.5‑2.5微米；在所述第二绝缘层上制备第三绝缘层；在所述第三绝缘层中正对所述第一栓塞导通孔和第二栓塞导通孔的位置处制作穿透第三绝缘层的延长通孔，并在所述延长通孔中填入金属铜；在所述第三绝缘层上制备第三金属层；刻蚀所述第三金属层，保留位于所述延长通孔上方的金属层；通过等离子体增强沉积方法在所述第三金属层上制备绝缘介质层；在所述绝缘介质层上化学气相沉积钝化保护层。