[发明专利]降低栅区域的表层氧化对衬底消耗的方法在审
| 申请号： | 201310077005.X | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104051264A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低栅区域的表层氧化对衬底消耗的方法，至少包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅区域；进行氮离子注入，在栅区域两侧的半导体衬底上部形成注氮层；采用氧化工艺，在栅区域及其两侧的衬底上形成氧化层。本发明通过在氧化工艺之前，在栅区域两侧的半导体衬底上注氮以形成注氮层，使栅极区域两侧的半导体衬底表面形成的氧化层厚度大大变薄，从而降低了衬底的消耗量，使得在去除氧化层后，衬底下凹程度大大降低，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 区域 表层 氧化 衬底 消耗 方法 | ||
【主权项】：
一种降低栅区域的表层氧化对衬底消耗的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅区域；2）进行氮离子注入，在栅区域两侧的半导体衬底上部形成注氮层；3）采用氧化工艺，在步骤2）获得的结构上形成氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
