[发明专利]一种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT

摘要

一种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT，属于半导体功率器件领域。本发明是在传统RC-IGBT的N集电区和P集电区之间引入介质埋层，并在介质埋层上方的N型缓冲层中引入一个p浮空层电流栓。本发明在基本不影响器件其他参数的情况下，可显著降低snapback的转折电压，提高反向恢复软度因子，以及电流分布均匀，没有局域过热现象，提高了RC-IGBT的可靠性能。

主权项

一种具有P浮空层电流栓的RC‑IGBT，包括N‑漂移区（6），N‑漂移区（6）的顶层中具有均匀分布的多个P型体区（5），N‑漂移区（6）的底部具有与N‑漂移区（6）相接触的N缓冲层（7）；N缓冲层（7）底部具有与N缓冲层（7）相接触的、且横向方向上由N集电区（8）和P集电区（9）构成的复合集电区；每个P型体区（5）中至少具有一个N+有源区（1），N+有源区（1）表面与金属发射极（4）相接触；相邻两个P型体区（5）之间的N‑漂移区（6）的表面上方具有一个多晶硅栅电极（2），多晶硅栅电极（2）与N‑漂移区（6）的表面之间具有二氧化硅栅氧化层，多晶硅栅电极（2）与金属发射极（4）之间具有二氧化硅场氧化层；所述N集电区（8）和P集电区（9）之间还具有一个介质埋层（11），所述介质埋层（11）实现N集电区（8）和P集电区（9）的电隔离；所述介质埋层（11）上方的N型缓冲层（7）中还具有一个P浮空层（10），所述P浮空层（10）将N型缓冲层（7）分割成N集电区（8）与N‑漂移区（6）之间的N型缓冲层和P集电区（9）与N‑漂移区（6）之间的N型缓冲层两部分。