[发明专利]一种重掺杂硼硅片的再分布方法有效
| 申请号： | 201310074216.8 | 申请日： | 2013-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103193195A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王凌云;王申;张豪尔;杜晓辉;蔡建法;占瞻;孙道恒 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种重掺杂硼硅片的再分布方法，涉及一种重掺杂硼硅片。将重掺杂硼硅片放在托盘上，然后置于石英腔体中，关闭屏蔽箱门，旋转压紧密封机构；将石英腔体抽真空，通过气体进口和气体出口，对石英腔体内通入再分布所需气体；开启电源，通过电极片在空间中施加电场，然后开通射频电源，通过自动匹配器实现负载匹配，让感应线圈产生高频变化的磁场；打开温度传感器，利用温度传感器的温度指示，调节输入功率达到要求的温度，对重掺杂硼硅片进行加热，开始再分布过程；为确保操作人员安全，电磁感应线圈外装有电磁屏蔽外壳，在整个再分布过程中要保持干扰场强仪的开启，以实时监测场强大小，使其在相关规定的范围内。加热速率快，成本低，有效减小残余应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 硅片 再分 方法 | ||
【主权项】：
一种重掺杂硼硅片的再分布方法，其特征在于包括以下步骤：1）将重掺杂硼硅片放在托盘上，然后置于石英腔体中，关闭屏蔽箱门，旋转压紧密封机构；2）将石英腔体抽真空，再通过气体进口和气体出口，对石英腔体内通入再分布所需气体；3）开启电源，通过电极片在空间中施加电场，然后开通射频电源，通过自动匹配器实现负载匹配，让感应线圈产生高频变化的磁场；4）打开温度传感器，利用温度传感器的温度指示，调节输入功率达到要求的温度，对重掺杂硼硅片进行加热，开始再分布过程；5）为确保操作人员安全，电磁感应线圈外装有电磁屏蔽外壳，在整个再分布过程中要保持干扰场强仪的开启，以实时监测场强大小，使其在相关规定的范围内。
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