[发明专利]电阻变化存储器有效
| 申请号： | 201310070528.1 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103680617A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 杉前纪久子;市原玲华;林哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种电阻变化存储器，能使得在处于低电阻状态的存储单元的可变电阻层形成的细丝的形状一致，能降低处于低电阻状态的存储单元的电阻值的偏差。其包括：存储单元MC，具有：第1电极11及第2电极12、和在第1电极11和第2电极12之间配置且在高电阻状态和低电阻状态之间迁移的可变电阻层13；控制电路21，在第1电极11和第2电极12之间施加电压，将存储单元MC从高电阻状态向低电阻状态迁移。控制电路21将在存储单元流动的电流设定为第1上限值及第2上限值。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 变化 存储器 | ||
【主权项】：
一种电阻变化存储器，其特征在于，包括：存储单元，具有：第1电极及第2电极、在上述第1电极和上述第2电极之间配置且在高电阻状态和与上述高电阻状态相比电阻低的低电阻状态之间迁移的可变电阻层；控制电路，在上述第1电极和上述第2电极之间施加电压，使上述存储单元从上述高电阻状态向上述低电阻状态迁移；其中，上述控制电路将在上述存储单元流动的电流设定为第1上限值，对上述存储单元施加第1电压进行第1写入，在上述第1写入之后，将在上述存储单元流动的电流设定为第2上限值，对上述存储单元施加第2电压进行第2写入。
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