[发明专利]电阻变化存储器

权利要求书

1.一种电阻变化存储器，其特征在于，包括：

存储单元，具有：第1电极及第2电极、在上述第1电极和上述第2电极之间配置且在高电阻状态和与上述高电阻状态相比电阻低的低电阻状态之间迁移的可变电阻层；

控制电路，在上述第1电极和上述第2电极之间施加电压，使上述存储单元从上述高电阻状态向上述低电阻状态迁移；

其中，上述控制电路将在上述存储单元流动的电流设定为第1上限值，对上述存储单元施加第1电压进行第1写入，在上述第1写入之后，将在上述存储单元流动的电流设定为第2上限值，对上述存储单元施加第2电压进行第2写入。

2.如权利要求1所述的电阻变化存储器，其特征在于，上述第2上限值比上述第1上限值大，上述第2电压比上述第1电压高。

3.如权利要求1所述的电阻变化存储器，其特征在于，上述第2上限值比上述第1上限值小，上述第2电压比上述第1电压高。

4.如权利要求2所述的电阻变化存储器，其特征在于，对上述存储单元施加上述第2电压的时间比施加上述第1电压的时间短。

5.如权利要求1所述的电阻变化存储器，其特征在于，上述可变电阻层包含离子导电性材料。

6.如权利要求5所述的电阻变化存储器，其特征在于，上述离子导电性材料包含非晶硅、氢化非晶硅、多晶体硅、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、锗、氧化银、硫化银、硒化银、碲化银、碘化银、碘化铜、氧化铜、硫化铜、硒化铜、碲化铜、氧化锗的至少任一种。

7.如权利要求1所述的电阻变化存储器，其特征在于，上述第1电极包含Ag、Co、Ni、Cu、Ti、Al、Au的至少任一种，上述第2电极包含TiN、W、Pt、Ta、Mo、杂质掺杂半导体的至少任一种。

8.一种电阻变化存储器，其特征在于，包括：

存储单元，具有：第1电极及第2电极、在上述第1电极和上述第2电极之间配置且在高电阻状态和与上述高电阻状态相比电阻低的低电阻状态之间迁移的可变电阻层；

控制电路，在上述第1电极和上述第2电极之间施加电压，使上述存储单元的电阻状态变化；

其中，上述控制电路进行第1工作，即，将在上述存储单元流动的电流设定为第1上限值，使之向上述低电阻状态变化；

在上述第1工作后，进行第2工作，即，确认上述存储单元的电阻值，

在上述第2工作后，在上述存储单元的电阻值与预定值相比为高电阻的场合，进行第3工作，即，将在上述存储单元流动的电流设定为比上述第1上限值大的第2上限值，使之向上述低电阻状态变化。

9.如权利要求8所述的电阻变化存储器，其特征在于，上述控制电路在上述第2工作之后且上述第3工作之前进行第4工作，即，使上述存储单元从上述低电阻状态向上述高电阻状态变化。

10.如权利要求9所述的电阻变化存储器，其特征在于，上述控制电路，在上述第1、第3工作中，对上述第1电极施加比上述第2电极高的电压，在上述第4工作中，对上述第1电极施加比上述第2电极低的电压。

11.如权利要求8所述的电阻变化存储器，其特征在于，上述控制电路，在上述第1工作中，对上述存储单元施加第1电压，在上述第3工作中，对上述存储单元施加比上述第1电压高的第2电压。

12.如权利要求8所述的电阻变化存储器，其特征在于，上述控制电路，在上述第1、第3工作中，对上述存储单元施加第1电压。

13.如权利要求8所述的电阻变化存储器，其特征在于，上述控制电路，在上述第1工作中，将在上述存储单元流动的电流设定为上述第1上限值之后，设定为第3上限值。

14.如权利要求13所述的电阻变化存储器，其特征在于，上述第3上限值比上述第1上限值小。

15.如权利要求13所述的电阻变化存储器，其特征在于，上述控制电路，在设定为上述第1上限值时对上述存储单元施加第1电压，在设定为上述第2上限值时对上述存储单元施加比上述第1电压高的第2电压，在设定为上述第3上限值时对上述存储单元施加比上述第1电压高且比上述第2电压低的第3电压。