[发明专利]低损伤GaN基LED芯片的制作方法

摘要

一种低损伤GaN基LED芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱发光层和P-GaN层，形成GaN外延片；步骤3：采用PECVD的方法，在GaN外延片上沉积电流阻挡层；步骤4：在电流阻挡层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N-GaN层，在N-GaN层的一侧形成台面；步骤5：对电流阻挡层进行光刻，使电流阻挡层的面积小于P-GaN层的面积；步骤6：在刻蚀后的GaN外延片的上表面蒸镀ITO薄膜；步骤7：光刻腐蚀掉P-GaN层和电流阻挡层以外的ITO薄膜；步骤8：在ITO薄膜上与电流阻挡层的位置对应处制作P电极；在N-GaN层的一侧的台面上制作N电极，完成制备。

主权项

一种低损伤GaN基LED芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N‑GaN层、多量子阱发光层和P‑GaN层，形成GaN外延片；步骤3：采用PECVD的方法，在GaN外延片上沉积电流阻挡层；步骤4：在电流阻挡层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N‑GaN层，在N‑GaN层的一侧形成台面；步骤5：对电流阻挡层进行光刻，使电流阻挡层的面积小于P‑GaN层的面积；步骤6：在刻蚀后的GaN外延片的上表面蒸镀ITO薄膜；步骤7：光刻腐蚀掉P‑GaN层和电流阻挡层以外的ITO薄膜；步骤8：在ITO薄膜上与电流阻挡层的位置对应处制作P电极；在N‑GaN层的一侧的台面上制作N电极，完成制备。