[发明专利]具有多个存储器管芯和控制器管芯的半导体存储装置无效
申请号: | 201310067507.4 | 申请日: | 2011-02-07 |
公开(公告)号: | CN103226383A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | P·戈里汉姆 | 申请(专利权)人: | 莫塞德技术公司 |
主分类号: | G06F1/32 | 分类号: | G06F1/32 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | 包括多个存储器管芯和控制器管芯的半导体存储装置。该控制器管芯连接到内部控制总线。该控制器管芯被配置成响应于外部读命令而向所述存储器管芯中的所选择的存储器管芯提供内部读命令。所选择的存储器管芯被配置成响应于内部读命令而向控制器提供读数据;其中当存储器管芯中的至少两个存储器管芯被选为所选择的存储器管芯时,对于所述至少两个存储器管芯而言,在控制器管芯接收到外部读命令与接收到来自所选择的存储器管芯的读数据之间的延时不同。 | ||
搜索关键词: | 具有 存储器 管芯 控制器 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:多个存储器管芯,其中,每个存储器管芯具有同步电路;以及连接到内部控制总线的控制器管芯,所述控制器管芯被配置为响应于外部读命令而向所述存储器管芯中的所选择的存储器管芯提供内部读命令;其中,所选择的存储器管芯被配置为响应于所述内部读命令而向所述控制器管芯提供读数据;其中,在所述同步电路被禁用的情况下,所述多个存储器管芯中的每个能够被配置为响应于所述内部读命令而向所述控制器管芯提供所述读数据。
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