[发明专利]利用响应于能量射线的耐热粘合片制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种利用响应于能量射线的耐热粘合片来制造半导体器件的方法。更具体地，本发明涉及一种用于使用具有优异的可靠性和可加工性的响应于能量射线的耐热粘合片来制造半导体器件的方法，该半导体器件通过以下方法制造：在将反应于能量射线的耐热粘合片长时间暴露于高温下的安装工艺(带后工艺)之后，层合该反应于能量射线的耐热粘合片；以及在密封过程之后，向粘合片的响应于能量射线的耐热粘合层辐照能量射线以引起交联反应，使得可以剥离粘合片而不在金属引线框的表面和密封树脂表面上留下残留物。

主权项

一种利用响应于能量射线的耐热粘合片制造半导体器件的方法，所述方法包括：(a)准备金属引线框；(b)在所述金属引线框上安装半导体芯片；(c)将所述半导体芯片导线接合至所述金属引线框的引线；(d)将导线接合至安装在其上的所述半导体芯片的所述金属引线框层合在具有能量射线透过型耐热粘合基底的响应于能量射线的耐热粘合片上，所述能量射线透过型耐热粘合基底的至少一个表面涂覆有响应于能量射线的耐热粘合层；(e)使用密封树脂密封所述半导体芯片；(f)当所述半导体芯片被完全密封时，向所述耐热基底的所述表面辐照能量射线以使所述响应于能量射线的耐热粘合层固化；以及(g)当所述响应于能量射线的耐热粘合层被完全固化时，剥离所述响应于能量射线的耐热粘合片。