[发明专利]多次离子注入的方法有效
| 申请号： | 201310066357.5 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104022024A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李志国 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种多次离子注入的方法，在多次离子注入时通过限制相邻离子注入的排队时间降低每次离子注入后光阻收缩变形的程度，使所述光阻能够保护所述隔离层，进而防止离子注入区域不断扩大，避免注入的离子渗透入隔离层造成半导体器件失效。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种多次离子注入的方法，包括：提供晶圆，所述晶圆上依次形成有隔离层以及光阻，所述光阻覆盖所述隔离层，所述光阻的截面尺寸大于所述隔离层的截面尺寸，所述光阻具有图案开口，所述图案开口暴露出预定的离子注入区域，所述图案开口与所述隔离层保持一安全距离；进行多次离子注入，并限制相邻离子注入的晶圆的排队时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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