[发明专利]介电复合物、埋入式电容膜及埋入式电容膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310065807.9 申请日: 2013-03-01
公开(公告)号: CN103289322A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 刘萍;张双庆 申请(专利权)人: 广东丹邦科技有限公司
主分类号: C08L63/02 分类号: C08L63/02;C08L63/00;C08K9/06;C08K3/24;C08K3/36;C08G59/50;H01G4/00;H01G4/06
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 523808 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种介电复合物、埋入式电容膜及埋入式电容膜的制备方法。介电复合物,包括:环氧树脂:E-44双酚A型环氧树脂或E-44双酚A型环氧树脂与国产670号有机钛改性环氧树脂的混合物;电介质填料:粒径0.7-1.0μm的钛酸钡粉末;潜伏性固化剂:双氰胺;固化促进剂:2-乙基-4-甲基咪唑;触变剂:气相SiO2;分散剂:异辛醇磷酸酯;有机溶剂:丁酮。所述电容膜的浆料包括所述介电复合物。所述制备方法为所述电容膜的制备方法。与现有技术相比,本发明的上述方案所获得的埋入式电容膜具有较高的耐热温度和剥离强度,而介电性能也能满足使用要求。
搜索关键词: 复合物 埋入 电容 制备 方法
【主权项】:
一种介电复合物,其特征在于,包括:环氧树脂:E‑44双酚A型环氧树脂或E‑44双酚A型环氧树脂与国产670号有机钛改性环氧树脂的混合物;电介质填料:粒径0.7‑1.0μm的钛酸钡粉末;潜伏性固化剂:双氰胺;固化促进剂:2‑乙基‑4‑甲基咪唑;触变剂:气相SiO2;分散剂:异辛醇磷酸酯;有机溶剂:丁酮。
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