[发明专利]电容/图像法同体积场成像传感器有效
| 申请号： | 201310065195.3 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103149253A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 董向元;郭淑青;于海龙 | 申请（专利权）人： | 中原工学院 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22;G01N21/00 |
| 代理公司： | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人： | 张绍琳;董晓慧 |
| 地址： | 451191 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开一种电容/图像法同体积场成像传感器，包括电容层析传感器和测量管道，所述电容层析传感器包括屏蔽罩和设置在测量管外的测量电极，测量电极沿轴向两端设有端屏蔽，所述端屏蔽、测量电极和屏蔽罩是多孔网状结构，所述测量管道采用透光的玻璃材料。与现有技术相比，本发明通过光透传感器引入同测量域光学图像“硬场”信息，可增加测量信息量，实现同体积场测量，通过轴向、横断面信息互补、修正，提高检测精度，拓展测量范围，对稀相密相均可成像。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 图像 体积 成像 传感器 | ||
【主权项】：
一种电容/图像法同体积场成像传感器，包括电容层析传感器和测量管道（2），所述电容层析传感器包括屏蔽罩（1）和设置在测量管（2）外的测量电极（5），测量电极（5）沿轴向两端设有端屏蔽（4），其特征在于：所述端屏蔽（4）、测量电极（5）和屏蔽罩（1）是多孔网状结构，所述测量管道（2）采用透光的玻璃材料。
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