[发明专利]电容/图像法同体积场成像传感器

权利要求书

1. 一种电容/图像法同体积场成像传感器，包括电容层析传感器和测量管道（2），所述电容层析传感器包括屏蔽罩（1）和设置在测量管（2）外的测量电极（5），测量电极（5）沿轴向两端设有端屏蔽（4），其特征在于：所述端屏蔽（4）、测量电极（5）和屏蔽罩（1）是多孔网状结构，所述测量管道（2）采用透光的玻璃材料。

2. 根据权利要求1所述的电容/图像法同体积场成像传感器，其特征在于：所述测量电极（5）均布在测量管道（2）上，测量电极（5）之间的间隙内设有隔离电极（6），隔离电极（6）与端屏蔽（4）相连，隔离电极（6）是多孔网状结构。

3. 根据权利要求1所述的电容/图像法同体积场成像传感器，其特征在于：所述测量电极（5）非均匀分布在测量管道（2）上，测量电极（5）的各个电极网孔密度沿着管道周向从图像法测量视角中间向两侧由密变稀布置，网孔密度稀的测量电极电极宽度大于网孔密度密的测量电极。

4. 根据权利要求1~3之一所述的电容/图像法同体积场成像传感器，其特征在于：所述测量电极（5）数量为八、十二或者十六。

5. 根据权利要求1~3之一所述的电容/图像法同体积场成像传感器，其特征在于：所述测量电极（5）、端屏蔽（4）和屏蔽罩（1）是不锈钢材质或者铜材质。