[发明专利]正面无电极遮挡的太阳能电池片及其制备方法有效
申请号: | 201310063343.8 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN103117313A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 薛婷;李博;龙晓红;奇向东 | 申请(专利权)人: | 宏大中源太阳能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;赵镇勇 |
地址: | 017000 内蒙古自治*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本发明公开了一种正面无电极遮挡的太阳能电池片及其制备方法,属太阳能电池制备领域。该电池片为:在N型硅衬底正面设有烧结的P型硅,N型硅衬底与P型硅形成PN结,P型硅表面覆盖有ITO透光导电膜,N型硅衬底侧面和背面设有印刷电极形成的引出电极。本发明将衬底正面电极的引出转移到背面,使得太阳能电池的正面无金属和连接点遮挡,这样在最大程度上减小了电极对入射光的遮挡,提高了电池的利用效率,同时背部共面电极简化了电池片的组装和安装工艺;其次采用高温烧结扩散技术将透光导电薄膜、太阳能电池的PN结、正面印刷电极、侧面印刷电极、背面印刷电极一次完成,大大减少了中间工艺和不必要的材料消耗。 | ||
搜索关键词: | 正面 电极 遮挡 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种正面无电极遮挡的太阳能电池片,其特征在于,该电池片为:在N型硅衬底正面设有烧结的P型硅,N型硅衬底与P型硅形成PN结,P型硅表面覆盖有ITO透光导电膜,N型硅衬底侧面和背面设有印刷电极形成的引出电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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