[发明专利]正面无电极遮挡的太阳能电池片及其制备方法

权利要求书

1.一种正面无电极遮挡的太阳能电池片，其特征在于，该电池片为：

在N型硅衬底正面设有烧结的P型硅，N型硅衬底与P型硅形成PN结，P型硅表面覆盖有ITO透光导电膜，N型硅衬底侧面和背面设有印刷电极形成的引出电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述ITO透光导电膜、PN结和引出电极为通过高温扩散烧结和印刷电极方式一次性制备在所述N型硅衬底上。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述ITO透光导电膜为：将氧化铟、氧化锡按照9：1的重量比例混合形成混合物，再将占所述混合物的百分之一至千分之一的重量比例的氧化硼掺入上述混合物后，制成靶材或者蒸发用材料，采用溅射或者电子束蒸发在所述N型硅衬底上制备形成的掺杂氧化硼的ITO薄膜。

4.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池片，其特征在于，所述ITO透光导电膜的厚度为：64～69nm。

5.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述引出电极包括：P型硅接触电极和N型硅接触电极；其中，

所述P型硅接触电极为在N型硅衬底侧面和背面部分区域表面印刷形成的的铝电极；所述N型硅接触电极为在N型硅衬底背面剩余区域表面印刷形成的的铜电极或者镍电极。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池片，其特征在于，所述P型硅接触电极和N型硅接触电极在N型硅衬底背面形成共面电极。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述N型硅衬底采用电阻率为300Ωcm²的N型单晶硅衬底或N型多晶硅衬底。

8.一种正面无电极遮挡的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

以N型硅为衬底，将N型硅衬底清洗干净；

在所述N型硅衬底正面制备掺杂有氧化硼的ITO薄膜；

用印刷方式在所述N型硅衬底背面和侧面形成引出电极；

将经上述处理后的所述N型硅衬底进行高温扩散烧结，控制温度为800℃～1000℃，烧结过程中通入惰性气体进行保护，直至得到在N型硅衬底正面形成PN结和ITO透明导电薄膜，在N型硅衬底侧面和背面形成引出电极的太阳能电池片。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述N型硅衬底正面制备掺杂有氧化硼的ITO薄膜为：

将氧化铟、氧化锡按照9：1的重量比例混合形成混合物，再将占所述混合物的百分之一至千分之一的重量比例的氧化硼掺入上述混合物后，制成靶材或者蒸发用材料，采用溅射或者电子束蒸发在所述N型硅衬底正面制备形成掺杂氧化硼的ITO薄膜，ITO薄膜厚度为64～69nm；

所述用印刷方式在所述N型硅衬底背面和侧面形成引出电极为：

用印刷方式在所述N型硅衬底背面和侧面涂布铝浆，将涂布铝浆后的所述N型硅衬底在80℃进行烘烤，使铝浆凝固作为P型硅接触电极；

用印刷方式在所述N型硅衬底背面剩余区域涂布镍浆或者铜浆，然后放置在烘箱中进行80℃烘烤，使浆料凝固作为N型硅接触电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述用印刷方式在所述N型硅衬底背面和侧面涂布铝浆，将涂布铝浆后的所述N型硅衬底在80℃进行烘烤，使铝浆凝固作为P型硅接触电极进一步包括：

将多个电池片的N型硅衬底背面向上沿一方向错开叠加放置在一起，使N型硅衬底设有ITO透光导电膜的正面朝下，用印刷方式在所述N型硅衬底背面和侧面涂布铝浆，再将涂布铝浆后的所述N型硅衬底在80℃进行烘烤，使铝浆凝固作为各电池片的P型硅接触电极。