[发明专利]一种多晶硅片晶向的检测方法及检测装置

摘要

本发明提出一种多晶硅片晶向的检测方法及检测装置。根据本发明的一种方法：对于多晶硅片表面上的晶粒，通过在不同角方向照射晶粒，获得多个反射强度，并依此在极坐标系中绘制出反射图谱；通过将实际得到的反射图谱和参考反射图谱加以比对，即可确定所照射的晶粒的晶向。本发明还公开了用于实施上述方法的相应检测装置。

主权项

一种多晶硅片晶向的检测方法，包括：a）用摄像装置对放置在平台上的多晶硅片拍照，其中所述摄像装置包括光源和成像探头，所述成像探头的主轴和多晶硅片表面的夹角θ为锐角；b)使所述平台和所述摄像装置发生围绕所述平台主轴的相对旋转，每次旋转角度α后重复步骤a），直至累计旋转达一周；c）对拍照得到的图像进行投影变换和配准；d）针对所述多晶硅片上的晶粒位置，获取每一图像上同一位置处的像素亮度，并按拍照时的累计旋转角度排列，得到所述晶粒的晶粒反射曲线；以及e）将所得的晶粒反射曲线和标准晶向反射曲线进行比对，以确定所述晶粒的晶向。