[发明专利]一种横向功率器件结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201310057943.3 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103117309A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 郭宇锋;徐琴;黄示;徐光明;张长春;夏晓娟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/861;H01L21/329;H01L29/739;H01L21/331;H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 朱小兵 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种横向功率器件结构及其制备方法，所述结构不仅可以有效缩小器件尺寸，提高器件的集成度，同时也可优化漂移区浓度，提高击穿电压。而且由于器件尺寸的缩小以及漂移区浓度优化值的提高，其导通电阻也能显著减小，从而整体提高了器件的击穿电压与导通电阻的比值。此外，该结构的漂移区可由浅沟槽隔离技术直接制作而成，将源区、沟道或漏区制作于浅沟槽隔离工艺形成的沟槽中，工艺简单，且其工艺与标准CMOS工艺完全兼容，也降低了器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 功率 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种横向功率器件结构，其特征在于，所述结构包括衬底区域（100），在衬底区域上具有一个沟槽结构，所述沟槽结构具有一个p型半导体区域（101）和一个高掺杂浓度的n型半导体区域（103）、以及间隔p型半导体区域（101）和n型半导体区域（103）的一个低掺杂浓度的n型半导体区域（102）；当在该沟槽结构底部配置p型半导体区域（101）时，则在该沟槽结构侧壁顶部配置高掺杂浓度的n型半导体区域（103）；当在该沟槽结构底部配置高掺杂浓度的n型半导体区域（103）时，则在该沟槽结构侧壁顶部配置一个p型半导体区域（101）。
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