[发明专利]用于CMOS晶体管的镍化物源极/漏极结构有效
| 申请号： | 201310054931.5 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103311298B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 查理德·肯尼斯·奥克斯兰德;马克·范·达尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/20;H01L29/24;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供具有降低电阻率的镍化物材料作为NMOS和PMOS技术中的源极/漏极接触面。镍化物材料层可以是三元材料诸如NiInAs，并且可以由先前在源极/漏极区中形成的二元材料形成。二元材料可以是沟道材料，或者其可以是在沟道材料上方形成的外延层。可以使用相同的三元镍化物材料作为NMOS和PMOS两种晶体管中的源极/漏极接触面。各种二元或者三元沟道材料可以用于NMOS晶体管以及用于PMOS晶体管。本发明提供了用于CMOS晶体管的镍化物源极/漏极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cmos 晶体管 镍化物源极 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括晶体管，所述晶体管包括是至少二元材料的沟道材料以及包含三元镍化物材料的源极/漏极区，其中，所述晶体管包括栅极结构，所述栅极结构设置在所述沟道材料的表面的上方，并且所述栅极结构具有栅电极和栅极电介质，并且间隔件设置在所述栅电极和所述源极/漏极区之间，所述间隔件包括由第一材料形成的上部和由不同的材料形成的下部，并且所述三元镍化物材料设置在所述表面的下方并且还部分设置在所述表面上方。
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