[发明专利]利用加热和冷却制造磁阻结构的方法有效
| 申请号： | 201310054860.9 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103296199B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | C·凯泽;Q·冷;M·帕卡拉 | 申请（专利权）人： | 西部数据（弗里蒙特）公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;G11B5/127 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了新颖的隧道磁阻（TMR）沉积过程，该过程可增强TMR读取器的信噪比（SNR）。制造隧道磁阻传感器的方法包括提供衬底；在衬底上形成磁性隧道结（MTJ）的第一部分；在衬底上形成MTJ的第二部分；在第一部分和第二部分之间形成MTJ结构的隧道势垒层；在形成隧道势垒层之前或者在形成隧道势垒层的至少一部分之后，加热MTJ结构的第一部分；以及冷却隧道势垒层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 热和 冷却 制造 磁阻 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造隧道磁阻即TMR结构的方法，所述方法包括：在衬底上形成参考层；在所述衬底上形成隧道势垒层；在所述衬底上形成自由层；以及在形成至少所述参考层以及所述隧道势垒层的至少一部分之后加热所述TMR结构；以及在加热形成所述隧道势垒层之后的所述TMR结构以后进行低温冷却。
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