[发明专利]光刻并刻蚀引线孔的方法有效

专利信息
申请号: 201310051876.4 申请日: 2013-02-17
公开(公告)号: CN103996650B 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 黄玮 申请(专利权)人: 无锡华润上华科技有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/02;G03F7/20;G03F7/42
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 代理人: 邓云鹏
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种光刻并刻蚀引线孔的方法,包括下列步骤在晶圆上形成铝布线,铝布线包括铝层和位于铝层上表面的保护层;在铝布线上淀积钝化介质形成钝化层,并进行光刻;进行钝化腐蚀,在引线孔处的保护层于钝化腐蚀中部分或全部余留;在晶圆表面涂布聚酰亚胺;在聚酰亚胺表面涂布光刻胶并进行曝光和显影;再次进行钝化腐蚀,直至将保护层完全去除;固化聚酰亚胺。本发明在淀积钝化介质后的第一次钝化腐蚀步骤中,保留了引线孔处铝层上方的保护层,使得铝层不会在聚酰亚胺光刻步骤中被显影液所腐蚀,且若聚酰亚胺光刻完成后发现需要进行聚酰亚胺的返工,则保留的保护层也能在返工时对铝层进行保护,因此可以实现聚酰亚胺工艺的在线返工。
搜索关键词: 光刻 刻蚀 引线 方法
【主权项】:
一种光刻并刻蚀引线孔的方法,包括下列步骤:在晶圆上形成铝布线,所述铝布线包括铝层和位于所述铝层上表面的保护层;在所述铝布线上淀积钝化介质形成钝化层,并进行光刻;进行钝化腐蚀,在引线孔处的所述钝化层只腐蚀一部分、所述保护层于钝化腐蚀中全部余留;在所述晶圆表面涂布聚酰亚胺;在所述聚酰亚胺表面涂布光刻胶并进行曝光和显影;检查聚酰亚胺的光刻是否有异常,如果检测到异常则进行聚酰亚胺的返工处理,如无异常再执行下一步骤;通过干法刻蚀去除聚酰亚胺残留;再次进行钝化腐蚀;以显影后的光刻胶为掩膜进行钝化腐蚀,直至将所述保护层完全去除;固化所述聚酰亚胺。
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