[发明专利]一种多晶硅的制备方法

摘要

一种多晶硅的制备方法，包括如下步骤：硅液在抬包中吹气、NaCl、KCl与SiO2造渣剂、等离子体相结合精炼除硼杂质，其中，氧化性气体电离成等离子气体从抬包底部通入硅液中，持续通入等离子气体1～3h,在抬包内进行反应；反应完成之后经过处理得到低磷硼金属硅；将硅锭破碎、磨粉、酸洗，清洗，烘干；将酸洗后硅粉加热熔化成硅液，保温；石墨板放置于硅液的表面上，石墨板与石墨坩埚底部分别与外界直流电压的负、正极接，所施加的直流电压为10～100V；通电2～4h后，在通电状态下，石墨坩埚以0.10～0.15mm/min的速率下降，离开加热区，进行定向凝固，冷却后取出硅锭，切除上层杂质富集区，得到提纯后6N多晶硅。该方法去除硼、金属等杂质效果好、成本低、环保。

主权项

一种多晶硅的制备方法，包括如下步骤：（1）在矿热炉出硅过程中，向抬包底部持续通入氧化性气体，（2）出硅完成后，将预熔造渣剂倒入抬包中精炼，所述的造渣剂为NaCl、KCl与SiO2；（3）同时，开启离子发生器，将氧化性气体电离成等离子气体从抬包底部通入抬包混合的硅液中，持续通入等离子气体1～3h,在抬包内进行反应；（4）反应完成之后，将步骤（3）得到的混合熔融液注入保温装置中凝固，待硅锭冷却后，打磨硅锭四周及底面洁净，然后将硅锭破碎、磨粉，硅粉粒度为40～200目，进行酸洗，清洗，烘干；（5）经过步骤（4）处理过的金属硅在石墨坩埚中熔融，保持硅液温度1450～1550°C；（6）石墨板放置于硅液的表面上，石墨板与外界直流电压的负极相接，石墨坩埚底部与外界直流电压的正极相接，所施加的直流电压为10～100V，其优选40‑60V；（7）通电2～4h后，在通电状态下，石墨坩埚以0.10～0.15mm/min的速率下降，离开加热区，进行定向凝固，冷却后取出硅锭，切除上层杂质富集区，得到提纯后6N多晶硅。