[发明专利]一种形成高压IGBT的FS层的方法及IGBT器件在审
| 申请号： | 201310036480.2 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103972085A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张硕;黄璇;芮强;王根毅;邓小社 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过外延形成高压IGBT的FS层的方法，其中的FS层外延形成工艺方法如下：提供包括N型漂移区的高压IGBT生产专用厚度的半导体圆片（1）；在所述半导体圆片的正面淀积一定厚度的保护层(2)，以保护背面外延工艺作业时半导体圆片（1）的正面；将所述半导体圆片翻转，背面向上，外延所需厚度的N+外延层，该N+外延层即所述FS结构，该N+外延层（3）的掺杂浓度大于N型漂移区的掺杂浓度；在外延结束后，将所述半导体圆片（1）翻转为正面向上，去除正面的所述保护层（2），以确保半导体圆片（1）的正面的光洁性，由该工艺方法制得的高压IGBT性能可靠，提高了生产效率，并降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 高压 igbt fs 方法 器件 | ||
【主权项】：
一种在高压IGBT中通过外延形成FS结构的方法，该方法包括如下步骤：a、提供包括N型漂移区的高压IGBT生产专用厚度的半导体圆片（1）；b、在所述半导体圆片的正面淀积一层保护层(2)，以保护背面外延工艺作业时半导体圆片（1）的正面；c、将所述半导体圆片翻转，背面向上，外延所需厚度的N+外延层（3），该N+外延层（3）即所述FS结构，该N+外延层（3）的掺杂浓度大于N型漂移区的掺杂浓度；d、在外延结束后，将所述半导体圆片（1）翻转为正面向上，去除正面的所述保护层（2），以确保半导体圆片（1）的正面的光洁性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
