[发明专利]低能量离子束蚀刻有效
| 申请号： | 201310035562.5 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103227110B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | C.吕埃 | 申请（专利权）人： | FEI公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;王忠忠 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及低能量粒子束蚀刻，在存在蚀刻辅助气体的情况下使用低能量聚焦离子束来去除碳质材料。申请人已经发现，当FIB的射束能量被降低时，诸如O2的蚀刻辅助气体大大增加了蚀刻速率。在一个例子中，使用具有从8keV到14keV的射束能量的Xe+等离子体FIB和作为蚀刻辅助气体的O 2所蚀刻的聚酰亚胺材料，在蚀刻速率上的增加相比于默认研磨速率可以接近30倍。 | ||
| 搜索关键词： | 能量 离子束 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种对包括碳质材料的工件的化学增强聚焦离子束研磨的方法，所述方法包括：在工件表面处提供含氧的蚀刻辅助气体；以及，在存在所述含氧的蚀刻辅助气体的情况下朝向碳质材料引导聚焦离子束来蚀刻该碳质材料，该聚焦离子束不具有足够的能量来从所述含氧的蚀刻辅助气体与该碳质材料之间的反应形成包含所述氧和所述碳质材料的钝化层，其中聚焦离子束具有8到14keV的射束能量，所述聚焦离子束包括Ga+等离子体聚焦离子束或Xe+等离子体聚焦离子束。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
