[发明专利]一种热中子荧光屏及其制备方法有效
申请号: | 201310032331.9 | 申请日: | 2013-01-29 |
公开(公告)号: | CN103077761A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 吴洋;唐彬;霍合勇;蔡绪福;刘斌;唐科;尹伟;孙勇;曹超 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 |
主分类号: | G21K4/00 | 分类号: | G21K4/00 |
代理公司: | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人: | 翟长明;韩志英 |
地址: | 621900 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供了一种热中子荧光屏及其制备方法。本发明的热中子荧光屏,是利用中子与荧光屏内的锂六原子发生核反应产生阿尔法离子,阿尔法离子在荧光材料内沉积能量激发荧光实现中子探测。热中子荧光屏由荧光材料ZnS(Ag)、LiF6粉末以及粘合剂三部分组成。目前用于热中子照相的转换屏包括金属屏、锂玻璃等。中子荧光屏的成像分辨率和抗伽马信号干扰能力远强于锂玻璃等热中子照相转换屏,在高通量、强伽马本底和高分辨率热中子照相领域有很好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 热中子 荧光屏 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种热中子荧光屏,其特征在于:将荧光屏材料充分混合后涂覆于1mm厚的高纯度硬铝板上,所述的荧光屏的原料按重量百分比组成如下:环氧树脂 10%~12%酸酐固化剂 5%~6%偶联剂 0.5%~1.5%硫化锌荧光粉 48%~52%氟化锂六 25%~30%。
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