[发明专利]一种微米/纳米二级表面阵列及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201310025758.6 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103151397A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 任山;李立强;李明;刘珠凤;洪澜 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/18;F24J2/48 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种“仙人掌”微纳二级阵列结构及其制备方法和用途。该微纳二级阵列是由纳米尺寸的Cu2S纳米线生长在微米尺寸的Cu2S球冠表面，Cu2S球冠又周期性的分布在衬底的表面形成的。本发明的Cu2S“仙人掌”微纳二级阵列，相比于普通的平面纳米线阵列，进一步增大了比表面积，增大了载流子产生的几率，同时，当入射光角度发生改变时，由于纳米线和光线的相对位置变化较小，光吸收变化较小，使其光吸收在较广的光入射角度内保持优良的性能。在太阳能领域应用时，可以避免随着太阳位置改变性能降低，或需不断随光照角度变化而改变器件角度，导致器件结构的复杂性及成本的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 纳米 二级 表面 阵列 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种Cu2S“仙人掌”微纳二级阵列，其特征在于：纳米尺寸的Cu2S纳米线生长在微米尺寸的Cu2S球冠表面，Cu2S球冠又周期性的分布在衬底的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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