[发明专利]一种背面形成方法有效
| 申请号： | 201310023662.6 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943497A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 方伟 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背面形成方法，用于对绝缘栅双极型晶体管器件的第一半成品进行加工，所述方法包括：在所述第一衬底正表面的至少一个第二区域以及所述M个多晶硅栅电极的正表面沉积钝化层，其中，所述至少一个第二区域为没有沉积所述M个栅氧化块的区域；从所述第一衬底的背面减薄所述第一衬底厚度，以使形成第二衬底；在所述第二衬底的背面注入第一离子，以形成P+区；对所述钝化层及所述P+区进行退火处理，以使所述P+区中的所述第一离子激活，及使所述钝化层的回流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种背面形成方法，用于对绝缘栅双极型晶体管器件的第一半成品进行加工，所述第一半成品包括有第一衬底，在所述第一衬底中形成的P型沟道区，在所述P型沟道区中形成的重掺杂N+源区，以及在所述第一衬底正表面的至少一个第一区域形成的M个栅氧化块，在所述M个栅氧化块上形成的M个多晶硅栅电极，M为大于等于1的整数，其特征在于，所述方法包括：在所述第一衬底正表面的至少一个第二区域以及所述M个多晶硅栅电极的正表面沉积钝化层，其中，所述至少一个第二区域为没有沉积所述M个栅氧化块的区域；从所述第一衬底的背面减薄所述第一衬底厚度，以使形成第二衬底；在所述第二衬底的背面注入第一离子，以形成P+区；对所述钝化层及所述P+区进行退火处理，以使所述P+区中的所述第一离子激活，及使所述钝化层的回流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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